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X-FAB基于180nm的工藝技術推出高靈敏度SPAD和APD器件

2020-12-10 09:11:08
全球領先的模擬/混合信號代工廠廠廠X-Fab硅代工廠繼續開發突破性技術解決方案來解決具有挑戰性的設計,現在宣布推出雪崩光電二極管(APD)和單光子雪崩二極管(SPAD)器件,以滿足弱光源條件下所需的靈敏度和嚴格的時間分辨率。
基于流行的180納米高壓XH018工藝,這些功能塊提供了高性能參數和直接集成的結合。APD具有良好的線性增益特性,可以從僅僅10微米完全擴展到幾百微米。使用X-Fab專有淬火電路,SPAD的死區時間小于15ns,因此它可以支持高帶寬設計。此外,其較低的暗計數率(: 100計數/s/m2)意味著其對熱噪聲的敏感度要低得多。SPAD的高光子探測率(PDP)保證了更高比例的入射光子觸發雪崩,并且這個高比例可以在很寬的波長范圍內保持(例如400nm時為40%)。
X-FAB  APD和SPAD可用于廣泛的應用,包括短程傳感、激光雷達、飛行時間(ToF)、醫學成像(CT和PET)和科學研究。由于它們符合AEC-Q100標準,因此也適用于汽車系統。此外,實現的低擊穿電壓(20V)有助于將它們集成到客戶芯片中。作為X-Fab設計套件的組件是完全個性化的,可以很容易地與XH018流程中的其他模塊相結合。光電仿真模型和具體應用指南可以幫助設計人員在短時間內將這些器件集成到電路中。除了以功能塊格式提供之外,還可以提供與SPAD一起工作的猝滅參考電路。

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