富士通電子將自9月推出業內最高密度8Mbit ReRAM產品

2020-12-03 09:34:05

富士通電子元件(上海)有限公司今天宣布，推出業界密度最高的8兆位ReRAM(注1)-“MB 85 as 8mt”。ReRAM量產產品由富士通和松下半導體解決方案有限公司共同開發(注2)，將于今年9月供貨。MB85AS8MT是一款帶SPI接口、兼容EEPROM的非易失性存儲器，可在1.6 ~ 3.6伏的寬電壓范圍內工作。它的一個特點是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下讀取數據只需要0.15毫安，使需要電池供電且經常讀取數據的設備達到最低功耗。MB85AS8MT采用非常小的晶圓級封裝(WL-CSP)，因此非常適合需要電池電源的小型可穿戴設備，包括助聽器、智能手表和智能手環。

MB85AS8MT的三大特點及相關應用

富士通電子提供各種鐵電隨機存取存儲器(FRAM)(注3) 產品，可以提供比EEPROM和閃存更高的寫入電阻時間和更快的寫入速度。富士通電子的FRAM 產品以其最好的非易失性存儲器而聞名，尤其是需要經常記錄和保護寫入的數據，以避免因突然斷電而導致的數據丟失。然而，與此同時，一些客戶需要更低的電流來讀取內存，因為他們的應用程序只需要少量的寫入，但他們讀取數據非常頻繁。

為了滿足這一需求，富士通電子專門開發了一種新型非易失性隨機存儲器“MB85AS8MT”，它具有“高密度位存取”和“低讀取電流”的特點。它是世界上密度最高的8Mbit ReRAM量產產品，采用SPI接口，支持1.6到3.6伏的大范圍電壓，包括指令和時序在內的電氣規格與EEPROM 產品兼容。

“MB85AS8MT”最大的特點是，即使擁有超高的密度，仍然可以實現極小的平均讀取電流。例如，在5兆赫茲的工作頻率下，平均讀取電流為0.15毫安，僅為高密度EEPROM器件所需電流的5%。

因此，在需要由電池供電的產品中，以及在需要頻繁讀取數據的應用中，例如特定程序讀取或設置數據讀取，通過該存儲器的超低讀取電流特性，產品可以大大降低電池的功耗。

在5兆赫茲的工作頻率下，MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%

除了提供EEPROM兼容的8引腳小外形封裝(SOP)外，還可以提供2mm x 3mm超小型11引腳WL-CSP，適合安裝在小型可穿戴設備中。

MB85AS8MT還可以提供2毫米x 3毫米的超小型11引腳WL-CSP

高密度內存、低功耗的MB85AS8MT采用極小的封裝規格，是助聽器、智能手表、智能手環等需要電池供電的小型可穿戴設備最適合的內存。