Vishay推出的新款60 V MOSFET是業內首款適用于標準柵極驅動電路

2020-12-02 10:05:58

最近，Vishay Intertechnology，Inc .宣布推出新的60 V挖溝機第四代N溝道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管SiSS22DN，這是業界第一款適用于標準柵極驅動電路的器件。10伏時的最大導通電阻降至4毫瓦，采用熱增強型3.3毫米x 3.3毫米PowerPAK 1212-8S封裝。Vishay Siliconix SiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲的效率和功率密度。柵極電荷只有22.5毫微秒，而且它的輸出電荷很低。

與邏輯電平為60 V的器件不同，SiSS22DN提高了典型的VGS(th)和米勒(th)平臺電壓，適用于柵極驅動電壓高于6 v的電路。器件的最佳動態特性縮短了死區時間，防止了同步整流應用中的擊穿。SiSS22DN在業界的低導通電阻比排名第二的產品低4.8%——堪比領先的邏輯電平器件——QOSS為34.2 nC，QOSS和導通電阻的乘積，即在零電壓開關(ZVS)或開關設備拓撲的功率轉換設計中，MOSFET的重要品質系數(FOM)達到最佳水平。為了實現更高的功率密度，與6 mm x 5 mm封裝的類似解決方案相比，該器件節省了65%的印刷電路板空間。

SiSS22DN的技術指標有所提高，調整后導通和開關損耗降至最低，使多個電源管理系統組件能夠實現更高的效率，包括交流/DC和DC/DC拓撲的同步整流、DC/DC變換器的主側開關、器半橋MOSFET功率級的降壓升壓轉換、通信和服務器電源或功能、電動工具和工業設備的電機驅動控制和電路保護、電池保護和電池管理模塊的充電。