這一全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了電源開關(guān)的電氣、機(jī)械和熱設(shè)計(jì)以及關(guān)鍵控制。對(duì)于愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔的電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車(EV)原始設(shè)備制造商和電機(jī)制造商來說，該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

可擴(kuò)展平臺(tái)的第一款產(chǎn)品是一款三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模塊，具有低導(dǎo)通損耗特性、3.25 毫歐(mohm)的導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗特性，600 v/300 a時(shí)的通斷能量分別為8.3mJ和11.2mJ，與最先進(jìn)的IGBT功率模塊相比，損耗降低了至少三倍。新模塊由輕質(zhì)鋁碳化硅(AlSiC)針翅底板水冷，對(duì)流體的熱阻為0.15/瓦.智能電源模塊可以承受高達(dá)3600伏的隔離電壓(經(jīng)過50Hz，1分鐘的耐壓測(cè)試)。

內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器包括三個(gè)板載隔離電源(每相一個(gè))，每相可提供高達(dá)5W的功率，因此它可以在高達(dá)125C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的電源模塊.高達(dá)10A的峰值柵極電流和對(duì)高dV/dt(50KV/s)的抗擾度可以實(shí)現(xiàn)功率模塊的快速開關(guān)和低開關(guān)損耗。它還具有欠壓閉鎖(UVLO)、主動(dòng)米勒箝位(AMC)、去飽和檢測(cè)和軟關(guān)斷(SSD)等保護(hù)功能，以確保電源模塊能夠安全驅(qū)動(dòng)，并在出現(xiàn)故障時(shí)提供可靠保護(hù)。

“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)碳化硅功率模塊并可靠地驅(qū)動(dòng)它們?nèi)匀皇且豁?xiàng)挑戰(zhàn)，”CISSOID的首席執(zhí)行官戴夫赫頓說。“這款新型碳化硅智能電源模塊是電源模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器多年發(fā)展的成果，這歸功于我們與汽車和交通領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者的密切合作。我們很高興向早期碳化硅器件采用者提供第一批智能電源模塊樣品，以支持汽車行業(yè)向高效電動(dòng)汽車解決方案的過渡。"