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意法半導體650V高頻IGBT利用最新高速開關技術提升應用性能

2020-12-19 10:07:12
意半導體—— HB2 650V  IGBT系列中國，20204月30日采用最新的第三代溝槽柵場截止(TFS)技術，可提高中PFC變換器、焊機、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器等高速應用設計的能效和性能該系列還包括符合AEC-Q101 Rev.D的汽車級產品
新HB2系列屬于STPOWER  產品系列，較低的(1.55V) VCEsat飽和電壓保證了出色的導通性能；較低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關，提高動態開關性能；出色的散熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，而新系列在市場上極具競爭力產品。

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