CISSOID推出了一種新的柵極驅(qū)動(dòng)器板，該板針對額定溫度為125C(環(huán)境溫度)的62毫米碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動(dòng)芯片組，還可以驅(qū)動(dòng)IGBT功率模塊，同時(shí)可以為汽車和工業(yè)應(yīng)用中高密度功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)提供散熱空間。支持高頻(100KHz)和快速碳化硅MOSFET開關(guān)(dV/dt  50KV/s)，可以提高功率變換器的效率，減小尺寸和重量。該板專為惡劣電壓環(huán)境設(shè)計(jì)，支持1200V和1700V電源模塊驅(qū)動(dòng)。隔離電壓高達(dá)3600V(經(jīng)過50Hz和1分鐘耐壓測試)，爬電距離為14 mm，欠壓閉鎖(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去飽和檢測等保護(hù)功能可以保證電源模塊在故障情況下安全驅(qū)動(dòng)和可靠保護(hù)。“這種新的碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)板是多年來與汽車、運(yùn)輸和航空航天市場行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作開發(fā)的成果。它結(jié)合了CISSOID在碳化硅器件方面的專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)適應(yīng)惡劣環(huán)境的芯片和電子系統(tǒng)的長期經(jīng)驗(yàn)。”CISSOID工程副總裁Etienne  Vanzieleghem說。

在紐倫堡，中芯國際還展示了最新的碳化硅場效應(yīng)晶體管器件和IGBT功率模塊。一種新型的分立1200伏/40歐姆碳化硅場效應(yīng)晶體管已經(jīng)上市，它被封裝在TO-247中，可以在-55到175的溫度范圍內(nèi)正常工作.場效應(yīng)晶體管在25C(結(jié)溫)時(shí)的漏極至源極電阻為40歐姆，在175C(結(jié)溫)時(shí)的導(dǎo)通電阻為75歐姆。低開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷能量(分別為1mJ和0.4mJ)使該器件成為高效緊湊的DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率逆變器和電池充電器的理想選擇。CISSOID還展示了兩個(gè)62毫米1200伏IGBT功率模塊，額定電流分別為200安和300安。

CISSOID也在致力于碳化硅MOSFET功率模塊的開發(fā)，將在未來幾個(gè)月推出。“這些新的產(chǎn)品表明，中電投致力于提供基于碳化硅的全面解決方案，包括晶體管、模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器，以支持行業(yè)在新電動(dòng)汽車和可再生能源應(yīng)用中使用高效、輕質(zhì)和緊湊的功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品，”中電投首席執(zhí)行官戴夫赫頓(Dave  Hutton)表示。“我們正與汽車制造商和汽車零部件供應(yīng)商密切合作，為新能源汽車應(yīng)用新型碳化硅功率逆變器定制柵極驅(qū)動(dòng)器。”他補(bǔ)充道。