微芯片的700伏SiC  MOSFET和700伏、1200伏SiC  肖特基勢壘二晶體管(SBD)將被添加到公司現有的SIc功率模塊產品組合中。超過35個新的分立器件產品已投入大規模生產，并通過了嚴格的耐用性測試。微芯片可以提供全面的開發服務、工具和參考設計支持。微芯片目前提供額定電壓、額定電流和各種封裝的SiC管芯、分立器件和功率模塊。

微芯片分立器件與電源產品管理部高級副總裁Rich  Simoncic表示：“SiC技術的演進和應用已經開始加速。微芯片多年來一直在深入培育這個市場，并致力于滿足全球市場對碳化硅產品日益增長的需求，保持其在世界上的領先地位。我們使用可靠的產品構建產品產品組合，并提供強大的基礎設施和供應鏈支持，以滿足客戶實施和調整產品發展計劃的需求。”

微芯片的碳化硅場效應晶體管和SBD可以以更高的頻率和更高的效率完成開關操作，并通過各級耐用性測試，這對于保證產品的長期可靠性非常重要。電感開關(UIS)的耐久性試驗(該試驗旨在測量器件在雪崩條件下，即當電壓峰值超過器件擊穿電壓時的退化和過早失效性能)表明，微芯片碳化硅SBD的性能比其他碳化硅二極管高約20%。此外，微芯片的碳化硅場效應晶體管在性能上也優于其對手產品，具有良好的柵氧化層保護能力和溝道完整性，即使經過10萬次重復UIS(RUIS)測試，其參數仍能保持在正常水平。

微芯片是世界上唯一能夠同時提供硅和SiC分立器件/模塊解決方案的供應商之一。公司的產品(包括外部充電站、車內充電器、DC-DC轉換器和電力系統/牽引控制解決方案)能夠很好地滿足電動汽車系統日益增長的需求。新的SiC器件將采用微芯片面向客戶的產品淘汰機制，微芯片將根據客戶需求產品決定是否繼續生產這類器件。

微芯片將為這種SiC  產品組合提供一系列支持，如各種SiC  SPICE模塊、SiC驅動板參考設計和一套功率因數校正(PFC)維也納整流器參考設計等。微芯片的所有碳化硅產品和相關附件都已批量生產。此外，碳化硅MOSFET和碳化硅二極管還有各種管芯和封裝方案，可供客戶選擇。