最近，世界領先的半導體制造設備和服務供應商泛林集團宣布了一項新的解決方案，幫助客戶提高芯片存儲密度，以滿足人工智能和機器學習等應用的需求。泛林集團進一步擴大了壓力管理產品產品組合，引進了背膜沉積設備VECTOR  DT和去除背膜和邊緣膜的濕刻蝕設備EOS  GS。

高縱橫比沉積和刻蝕工藝是實現3D  NAND技術可持續發展的關鍵因素。隨著工藝層數的增加，累積的物理應力越來越大。如何控制由此引起的晶圓翹曲成為制造過程中的一大挑戰。嚴重的晶圓翹曲會影響光學刻焦深，層間的對準，甚至導致圖形結構的扭曲，從而降低產品的良率。為了提高整體良率，需要對整個制造過程中多個步驟的晶圓、芯片、圖形層面的應力進行精心管理，甚至放棄一些可以提高產品性能的工藝步驟。

VECTOR  DT系統是泛林集團等離子體增強化學氣相沉積(PEVD)產品系列的最新產品產品，旨在為3D  NAND制造中控制晶圓翹曲提供一種經濟高效的解決方案。VECTOR  DT完全不接觸晶圓正面，可以在晶圓背面沉積一層可調、高應力、高質量的薄膜，一步平整翹曲的晶圓，提高光刻效果，減少翹曲帶來的諸多問題。VECTOR  DT從一開始就被廣泛使用。隨著主流3D  NAND  產品推進到96層以上，機器安裝數量將繼續增加。

除了沉積高應力薄膜，泛林集團還提供回刻蝕，技術，使客戶可以根據工藝要求靈活調整3D  NAND制造過程中的晶圓應力。泛林集團的濕刻蝕產品EOS  GS具有業界領先的濕刻蝕均勻性，可以去除背面和邊緣的薄膜，同時充分保護晶圓正面，從而形成對VECTOR  DT的有力補充。作為晶圓翹曲管理解決方案的一部分，泛林集團的EOS  GS也被全球存儲芯片制造商廣泛采用。