“隨著新產品的發布，英飛凌已經在600伏/650伏部分改進了其硅基、碳化硅和氮化鎵功率半導體產品的組合，”英飛凌電源管理和多元化市場部門的高壓轉換業務高級總監斯特芬梅茨格說。“這凸顯了我們在市場上的獨特地位：英飛凌是市場上唯一能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列電源產品的制造商。而新酷訊呢？該系列是我們成為工業碳化硅場效應晶體管開關領域第一大供應商的有力支持。”

650 V  CoolSiC  MOSFET器件的額定值在27 m至107 m之間，可用于典型的TO-247 3引腳封裝和TO-247 4引腳封裝，開關損耗較低。以過去發布的所有CoolSiC？與金屬氧化物半導體場效應晶體管產品相比，新的650伏系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術，通過充分發揮碳化硅強大的物理特性，該器件具有出色的可靠性、出色的開關損耗和傳導損耗。此外，它們具有最高的跨導水平(增益)、4V閾值電壓(Vth)和短路魯棒性。總之，溝槽技術可以實現應用中的最低損耗和操作中的最佳可靠性，而不會有任何折衷。

650 V  CoolSiC與市面上其他硅基和碳化硅解決方案相比？MOSFET可以帶來更吸引人的優勢：更高的開關頻率下更好的開關效率和出色的可靠性。由于超低溫相關導通電阻(RDS(on))，這些器件具有出色的熱性能。此外，它們還使用反向恢復電荷非常低的堅固體二極管：比最好的超結酷金屬氧化物半導體場效應晶體管低80%。其換向魯棒性使其易于實現98%的整體系統效率，如圖騰柱功率因數校正(PFC)通過連續導通模式。

為了簡化使用650 VCoolSiC  MOSFET的應用設計，并確保器件的高效運行，英飛凌還提供專用單通道和雙通道電氣隔離的愛塞德河柵極驅動集成電路。該解決方案(集成酷訊開關和專用柵極驅動集成電路)有助于降低系統成本和總擁有成本，提高能效。酷硅場效應晶體管能和其他英飛凌電子器件一起使用嗎？柵極驅動系列集成電路的無縫合作。