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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%

2020-11-10 15:22:41
半導體基礎元器件生產領域的大容量生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET  產品，采用超小型DFN0606封裝，適合移動和便攜應用產品，包括可穿戴設備。它們還提供低導通電阻RDS(開)，并使用通常的0.35毫米間距，從而簡化了印刷電路板組裝過程。
PMH系列MOSFET采用DFN0606封裝，僅占0.62 x  0.62 mm，比上一代DFN1006器件節省36%以上的空間。由于先進的工藝流程，這些新器件提供了低導通電阻RDS(on)，與競爭對手產品相比，降低了60%以上。它們還具有出色的靜電放電性能，超低VGS電壓閾值低至0.7伏。該參數對于驅動電壓較低的便攜式產品應用非常重要。
Nexperia  產品經理Sandy  Wang  評論表示：“新一代可穿戴設備不斷突破消費電子技術的界限。智能手機、智能手表、健身追蹤器等創新技術的演進，要求小型化的MOSFET提供領先的性能和效率，從而實現越來越復雜的功能。Nexperia具有較高的生產能力和制造能力，可以擴大生產，最大限度地滿足市場需求。”

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