半導體基礎元器件生產領域的高生產力生產專家Nexperia，公布了首款P溝道MOSFET  產品系列，采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝。新設備符合AEC-Q101標準，適用于汽車應用。它可以作為DPAK金屬氧化物半導體場效應晶體管產品的理想替代品，在保證性能的基礎上，將封裝面積減少了50%以上。新系列產品的電壓范圍為30伏至60伏，導通電阻RDS(on)低至10兆歐(30伏)。