英飛凌推出62mm CoolSiC模塊，為碳化硅開辟新應用領域

2020-11-06 10:25:08

英飛凌科技股份有限公司在其1200 V CoolSiC MOSFET模塊系列中增加了一個62mm的行業標準模塊封裝產品。采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計和溝槽柵芯片技術，為250kW以上碳化硅的中功率應用打開了大門(硅IGBT技術處于62mm封裝的功率密度極限)。在傳統的62毫米IGBT模塊的基礎上，碳化硅的應用范圍已經擴展到太陽能、服務器、儲能、電動車充電樁、牽引、商用電磁爐和電力轉換系統。

62mm模塊配有英飛凌cool sic MOSFET芯片，可以實現極高的電流密度。其極低的開關損耗和傳導損耗可以最小化冷卻裝置的尺寸。當工作在高開關頻率時，可以使用較小的磁性元件。借助英飛凌酷訊芯片技術，客戶可以設計更小的逆變器，從而降低整體系統成本。

它采用62毫米標準基板和螺紋接口，具有高度穩健的結構設計，從而最大限度地優化和提高系統可用性，同時降低維護成本和停機損失。出色的溫度循環能力和150C連續工作溫度(Tvjop)帶來出色的系統可靠性。其對稱的內部設計使得上下開關具有相同的開關條件。可以安裝可選的“預處理熱界面材料”(TIM)配置，以進一步提高模塊的熱性能。