應用材料公司今天宣布是一家非常成功的Centris?Sym3?刻蝕產品系列增加了新成員。現在,這個系列產品可以使芯片制造商在更小尺寸的尖端存儲器和邏輯芯片上成像和成型。
應用材料公司的centricy 3y 刻蝕系統可以使芯片制造商在尺寸更小的尖端存儲器和邏輯芯片上成像和成型
新的centrisym 3?y是刻蝕應用材料公司最先進的導體系統。該系統采用創新的射頻脈沖技術,為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制,使他們能夠在3D NAND、動態隨機存取存儲器和邏輯節點(包括finfet和新興的環繞柵極架構)中創建密集排列的高縱橫比結構。
Sym3系列成功的關鍵在于其獨特的技術特點:高電導反應室架構可提供特殊的刻蝕剖面控制,快速有效地排出每個晶圓制程中產生的刻蝕對產品。Sym3 Y系統使用專有的新涂層材料來保護關鍵的空腔組件,這擴展了這種成功架構的優勢,從而進一步減少缺陷并提高產量。
SYM3 刻蝕系統于2015年首次推出,現在已經成為應用材料公司歷史上最快的市場占領者產品。到目前為止,Sym3反應室出貨數量已達5000個。
應用材料公司的戰略是為客戶提供新的材料成型和成像方法,實現新的三維結構,為2D繼續小型化開辟新的途徑。Sym3系列是實現這個策略的關鍵產品。應用材料有限公司采用獨特的化學氣相沉積(CVD)涂層技術,協同優化Sym3系統,使客戶能夠增加3D NAND存儲器件的層數,減少動態隨機存取存儲器制造中四重成型所需的步驟。應用材料公司將把上述技術與其電子束檢測技術一起部署,加快研發速度,大規模實現最先進節點行業的輸出斜坡,從而幫助客戶提高芯片功耗,增強芯片性能,降低單位面積成本,加快上市時間(PPACt)。
應用材料公司半導體產品事業部副總裁兼總經理穆昆德斯里尼瓦桑博士說:“應用材料公司在2015年推出Sym3系統時,采用了新的方法導體刻蝕,解決了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕問題。如今,在最先進的內存和鑄造邏輯節點中,關鍵的刻蝕和極紫外(EUV)圖形應用顯示出強勁的發展勢頭和增長。未來我們會繼續升級,幫助行業發展到下一代芯片設計。”
每個Sym3 Y系統包括多個刻蝕和等離子清洗晶片工藝反應室,由智能系統控制,以確保每個反應室具有一致的性能,從而實現穩定的工藝和高生產率。世界各地與非門、動態隨機存取存儲器和cast邏輯節點的許多領先客戶都在使用這一新系統。