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小間距QFN封裝PCB設計串擾抑制分析_-PCB新聞|線路板|印

2019-08-08 10:26:18

     一、引言 

  隨著電路設計高速高密的發展趨勢,QFN封裝已經有0.5mm pitch甚至更小pitch的應用。由小間距QFN封裝的器件引入的PCB走線扇出區域的串擾問題也隨著傳輸速率的升高而越來越突出。對于8Gbps及以上的高速應用更應該注意避免此類問題,為高速數字傳輸鏈路提供更多裕量。本文針對PCB設計中由小間距QFN封裝引入串擾的抑制方法進行了仿真分析,為此類設計提供參考。 


  二、問題分析 

  在PCB設計中,QFN封裝的器件通常使用微帶線從TOP或者BOTTOM層扇出。對于小間距的QFN封裝,需要在扇出區域注意微帶線之間的距離以及并行走線的長度。圖一是一個0.5 pitch QFN封裝的尺寸標注圖。 

小間距QFN封裝PCB設計串擾抑制分析_-PCB新聞|線路板|印

圖一 0.5 pitch QFN封裝尺寸標注圖


    圖二是一個使用0.5mm pitch QFN封裝的典型的1.6mm 板厚的6層板PCB設計: 

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圖二 QFN封裝PCB設計TOP層走線


    差分線走線線寬/線距為:8/10, 走線距離參考層7mil,板材為FR4. 

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圖三 PCB差分走線間距與疊層


    從上述設計我們可以看出,在扇出區域差分對間間距和差分對內的線間距相當,會使差分 對間的串擾增大。 

  圖四是上述設計的差分模式的近端串擾和遠端串擾的仿真結果,圖中D1~D6是差分端口。 

小間距QFN封裝PCB設計串擾抑制分析_-PCB新聞|線路板|印

圖四 差分模式端口定義及串擾仿真結果


    從仿真結果可以看出,即使在并行走線較短的情況下,差分端口D1對D2的近端串擾在5GHz超過了-40dB,在10GHz達到了-32dB,遠端串擾在15GHz達到了-40dB。對于10Gbps及以上的應用而言,需要對此處的串擾進行優化,將串擾控制到-40dB以下。 

 
 三、優化方案分析 

  對于PCB設計來說,比較直接的優化方法是采用緊耦合的差分走線,增加差分對間的走線間距,并減小差分對之間的并行走線距離。 

  圖五是針對上述設計使用緊耦合差分線進行串擾優化的一個實例: 

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圖五 緊耦合差分布線圖


    圖六是上述設計的差分模式的近端串擾和遠端串擾的仿真結果: 

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圖六 緊耦合差分端口定義及串擾仿真結果


    從優化后的仿真結果可以看出,使用緊耦合并增加差分對之間的間距可以使差分對間的近端串擾在0~20G的頻率范圍內減小4.8~6.95dB。遠端串擾在5G~20G的頻率范圍內減小約1.7~5.9dB。 

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    除了在布線時拉開差分對之間的間距并減小并行距離之外,我們還可以調整差分線走線層和參考平面的距離來抑制串擾。距離參考層越近,越有利于抑制串擾。在采用緊耦合走線方式的基礎上,我們將TOP層與其參考層之間的距離由7mil調整到4mil。 

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圖七 疊層調整示意圖


    根據上述優化進行仿真,仿真結果如下圖: 

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圖八 疊層調整后串擾仿真結果


    值得注意的是,當我們調整了走線與參考平面的距離之后,差分線的阻抗也隨之發生變化,需要調整差分走線滿足目標阻抗的要求。芯片的SMT焊盤距離參考平面距離變小之后阻抗也會變低,需要在SMT焊盤的參考平面上進行挖空處理來優化SMT焊盤的阻抗。具體挖空的尺寸需要根據疊層情況進行仿真來確定。 

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圖九 疊層調整后QFN焊盤阻抗優化示意圖


    從仿真結果可以看出,調整走線與參考平面的距離后,使用緊耦合并增加差分對之間的間距可以使差分對間的近端串擾在0~20G的頻率范圍內減小8.8~12.3dB。遠端串擾在0~20G范圍內減小了2.8~9.3dB。 

小間距QFN封裝PCB設計串擾抑制分析_-PCB新聞|線路板|印

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    四、結論 

  通過仿真優化我們可以將由小間距QFN封裝在PCB上引起的近端差分串擾減小8~12dB,遠端串擾減小3~9dB,為高速數據傳輸通道提供更多裕量。本文涉及的串擾抑制方法可以在制定PCB布線規則和疊層時綜合考慮,在PCB設計初期避免由小間距QFN封裝帶來的串擾風險。

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